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CEL-TPV2000瞬態(tài)表面光電壓譜

簡要描述:表面光電壓是固體表面的光生伏特效應(yīng),是光致電子躍遷的結(jié)果。

  • 產(chǎn)品型號(hào):CEL-TPV2000
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2018-11-02
  • 訪  問  量:1924

詳細(xì)介紹

產(chǎn)地類別國產(chǎn)

  表面光電壓是固體表面的光生伏特效應(yīng),是光致電子躍遷的結(jié)果。
  1876年,W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;
  1948年才將這一光生伏特效應(yīng)作為光譜檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上,這種光譜技術(shù)稱為表面電壓技術(shù)(Surface Photovoltaic Technique,簡稱SPV)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spectroscopy,簡稱SPS)。表面光電壓技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體特征參數(shù)的途徑,這種方法是通過對(duì)材料光致表面電壓的改變進(jìn)行分析來獲得相關(guān)信息的。
  1970年,表面光伏研究獲得重大突破,美國麻省理工學(xué)院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時(shí),歷史性的*次獲得入射光波長與表面光電壓的譜圖,以此來確定表面態(tài)的能級(jí),從而形成了表面光電壓這一新的研究測(cè)試手段。
SPV技術(shù)是較靈敏的固體表面性質(zhì)研究的方法之一,其特點(diǎn)是操作簡單、再現(xiàn)性好、不污染樣品,不破壞樣品形貌,因而被廣泛應(yīng)用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。
SPV技術(shù)所檢測(cè)的信息主要是樣品表層(一般為幾十納米)的性質(zhì),因此不受基底或本體的影響,這對(duì)光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術(shù)的原理是基于檢測(cè)由入射光誘導(dǎo)的表面電荷的變化,其檢測(cè)靈敏度很高,而借助場(chǎng)誘導(dǎo)表面光電壓譜技術(shù)可以用來測(cè)定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型(特別是有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型)、半導(dǎo)體表面參數(shù),研究納米晶體材料的光電特性,了解半導(dǎo)體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過程,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的譜帶解釋,并為研究符合體系的光敏過程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過程提供可行性方法。
瞬態(tài)吸收光譜研究光生載流子反應(yīng)動(dòng)力學(xué),半導(dǎo)體受激光激發(fā)后產(chǎn)生載流子,在其衰減過程中可發(fā)生一系列的變化和反應(yīng).時(shí)間分辨紫外可見吸收光譜可監(jiān)測(cè)其隨時(shí)間變化。首先應(yīng)需確定載流子的檢測(cè)波長,光生電子和空穴的特征吸收波長可調(diào)控電極一種載流子濃度而測(cè)量另一種載流子的瞬態(tài)光吸收與波長的關(guān)系。
 
 瞬態(tài)表面光電壓譜的應(yīng)用
   光生載流子動(dòng)力學(xué)主要測(cè)試技術(shù),載流子動(dòng)力學(xué)測(cè)試技術(shù)主要有電學(xué)和譜學(xué)兩類.電學(xué)方法主要是光電化學(xué),測(cè)量方式又分時(shí)間域和頻率域.時(shí)間域方法主要有瞬態(tài)光電壓(TPV)和瞬態(tài)光電流(TPC),頻率域方法主要有電化學(xué)阻抗譜(EIS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IPVS)和光強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)等.譜學(xué)方法主要是瞬態(tài)吸收光譜和瞬態(tài)熒光光譜。這里主要介紹時(shí)間域的光電化學(xué)測(cè)量方法(以TPV為例)。瞬態(tài)吸收光譜是研究半導(dǎo)體光生載流子動(dòng)力學(xué)過程和反應(yīng)歷程的強(qiáng)有力手段之一,它可以獲得半導(dǎo)體體內(nèi)光生載流子產(chǎn)生、俘獲、復(fù)合、分離過程的重要微觀信息。
  半導(dǎo)體激光器從某一穩(wěn)定工作狀態(tài)過渡到另一穩(wěn)定工作狀態(tài)的過程中所出現(xiàn)的瞬態(tài)現(xiàn)象,或?qū)﹄A躍電流的響應(yīng)。主要有激射延遲、張弛振蕩和自脈動(dòng)。這些現(xiàn)象限制著半導(dǎo)體激光器振幅調(diào)制或頻率調(diào)制的性能,特別是最高調(diào)制速率。
   瞬態(tài)光電壓譜(Transient photovoltage spectrum)給出了不同樣品光生電荷分離的動(dòng)力學(xué)信息, 正向光伏信號(hào)代表光生電子由表面向內(nèi)部轉(zhuǎn)移。 通常半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)光伏分為漂移和擴(kuò)散過程,分別對(duì)應(yīng)短時(shí)間范圍和長時(shí)間范圍的光伏信號(hào)。
 瞬態(tài)表面光電壓工作原理
瞬態(tài)表面光電壓實(shí)驗(yàn)光源為激光器, 脈沖納秒激光經(jīng)棱鏡分光后被分別射入光電倍增管和樣品池中,激光強(qiáng)度通過漸變圓形中性濾光片進(jìn)行調(diào)節(jié). 光電倍增管記錄參比信號(hào), 樣品信號(hào)經(jīng)放大器的數(shù)字示波器進(jìn)行記錄。 樣品池由具有良好屏蔽電磁噪音的材料制成。樣品池內(nèi)部結(jié)構(gòu)由上至下分別為: 鉑網(wǎng)電極, 云母片, 被測(cè)樣品, FTO電極。

 

瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為,其光電壓響應(yīng)包括上升和衰退兩部分,光電壓上升部分在物理上對(duì)應(yīng)于TiO?電極導(dǎo)電基底電子濃度增加(類似于電容充電過程),此過程由光生電子擴(kuò)散到達(dá)基底引起,光電壓下降部分主要對(duì)應(yīng)于電子離開導(dǎo)電基底的復(fù)合過程(類似于電容放電過程)。瞬態(tài)表面光電壓譜光生載流子動(dòng)力學(xué);瞬態(tài)光電壓研究光生電子的傳輸行為
   
技術(shù)參數(shù)

項(xiàng)目參數(shù)
激光器Nd:YAG脈沖納秒激光器(整機(jī)*)
激光器參數(shù)波長1064nm@320mJ;532nm@180mJ;355nm@60mJ;266nm@40mJ;脈沖寬度 (1064 nm) 10 - 14 ns;控溫精度0.05℃;內(nèi)部預(yù)熱器,可快速預(yù)熱
OPO激光器(選配)波長范圍:210-2200nm連續(xù)可調(diào),計(jì)算機(jī)控制波長調(diào)節(jié),峰值能量輸出>20mJ,重復(fù)頻率20HZ
系統(tǒng)時(shí)間分辨率5ns
探測(cè)靈敏度0.1mOD
數(shù)據(jù)采集12bit/16bit高分辨率數(shù)字示波器
光路采用全封閉結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),無任何外部環(huán)境干擾
樣品室標(biāo)配三明治結(jié)構(gòu)樣品池,可根據(jù)要求定制樣品空間,允許進(jìn)行更多實(shí)驗(yàn)環(huán)境的光路定制,如支持低溫樣品環(huán)境、顯微鏡微區(qū)光譜、強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境等。
光功率計(jì)測(cè)試波長范圍190-11000nm,功率范圍0-2000mw; 配合軟件實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集,軟件還內(nèi)置了量子效率計(jì)算功能
軟件軟件集成控制脈沖激光器、OPO激光器、數(shù)據(jù)同步、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)放大、數(shù)據(jù)分析、全自動(dòng)處理、數(shù)據(jù)導(dǎo)出等功能。
 

 

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